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物理学院科研提升及基金申报交流会系列报告


来源:
学校官网

收录时间:
2024-12-13 09:09:45

时间:
2024-12-15 09:00:00

地点:
翡翠湖校区科教楼大数据中心会议室

报告人:
王凌飞 教授

学校:
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关键词:
过渡金属氧化物, 自支撑氧化物薄膜, 钙钛矿氧化物, 范德华尔斯材料, 硅基半导体, 电子/自旋电子器件

简介:
过渡金属氧化物薄膜异质结中的多自由度的耦合带来了一系列衍生量子现象和丰富的功能特性,但薄膜/基底界面上的强共价键在很大程度上限制了它们与其他低维材料系统的集成。针对这一短板,基于水溶性牺牲层材料的自支撑氧化物膜的剥离和转移技术近年来被提出并迅速发展,极大地推动了ABO3钙钛矿氧化物异质结、范德华尔斯材料和硅基半导体的集成研究,在下一代电子/自旋电子器件方面展现出的巨大潜力。然而,自支撑氧化物薄膜的剥离和转移过程常常伴随着高密度裂纹的产生,尺寸被限制在微米量级。针对这一自支撑氧化物薄膜中的普遍性问题,我们成功开发出一种广谱高效的新型水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7,并发挥其特有的结构弹性和强水溶性成功制备出多种兼具高完整性和结晶性的自支撑氧化物薄膜,将无裂纹区域的尺寸提升至厘米量级,且其功能性可以与外延薄膜自支撑氧化物薄膜的大面积制备提供了高效且普适的实验手段,突破了该领域的关键技术瓶颈,将进一步助力这一新兴低维量子材料体系中新奇功能属性的发掘,提升其在低维柔性电子学器件方面的应用潜力。

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报告介绍:
过渡金属氧化物薄膜异质结中的多自由度的耦合带来了一系列衍生量子现象和丰富的功能特性,但薄膜/基底界面上的强共价键在很大程度上限制了它们与其他低维材料系统的集成。针对这一短板,基于水溶性牺牲层材料的自支撑氧化物膜的剥离和转移技术近年来被提出并迅速发展,极大地推动了ABO3钙钛矿氧化物异质结、范德华尔斯材料和硅基半导体的集成研究,在下一代电子/自旋电子器件方面展现出的巨大潜力。然而,自支撑氧化物薄膜的剥离和转移过程常常伴随着高密度裂纹的产生,尺寸被限制在微米量级。针对这一自支撑氧化物薄膜中的普遍性问题,我们成功开发出一种广谱高效的新型水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7,并发挥其特有的结构弹性和强水溶性成功制备出多种兼具高完整性和结晶性的自支撑氧化物薄膜,将无裂纹区域的尺寸提升至厘米量级,且其功能性可以与外延薄膜自支撑氧化物薄膜的大面积制备提供了高效且普适的实验手段,突破了该领域的关键技术瓶颈,将进一步助力这一新兴低维量子材料体系中新奇功能属性的发掘,提升其在低维柔性电子学器件方面的应用潜力。
报告人介绍:
王凌飞,教授,现任职于中国科学技术大学合肥微尺度物质科学研究中心, 博士生导师,中科院“百人计划”B类 (2019年)入选者。2008年于合肥工业大学应用物理系取得学士学位,2013年于中国科学技术大学获得凝聚态物理博士学位,2013至2020年先后在阿伯杜拉国王科技大学和韩国首尔国立大学从事博士后研究,2020年3月加入中国科学技术大学。主要从事钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜与异质界面中的新奇量子现象和功能特性研究。在Science、Nature Materials、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、Nature Communications等学术期刊共发表论文五十余篇,论文被引4000余次(Google Scholar),H因子24,3篇论文入选ESI高被引论文。

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